Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (6) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Borkovska L$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Borkovska L. V. Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure [Електронний ресурс] / L. V. Borkovska, T. R. Stara, N. O. Korsunska, К. Yu. Pechers'ka, L. P. Germash, V. O. Bondarenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 202-208. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_20 Effect of post-growth thermal annealing within the temperature range 200 to 430 <$E symbol Р>C for 15 min on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot (QD) heterostructure was studied. Annealing at lower temperatures (<$E T sub roman ann~symbol Г~270~symbol Р>C) results in an increase by a factor of 2 - 3 of the intensity of two photoluminescence bands observed, the first being caused by excitonic transitions in QDs and the second one being connected with the defect complex including a column II vacancy. The effect is supposed to be caused by annealing of as-grown nonradiative defects. Annealing at higher temperatures (<$E T sub roman ann~>>~270~symbol Р>C) stimulates a decrease of the QD photoluminescence band intensity and up to 100 meV blue shift of its peak position. The former is explained by generation of extended defects and reduction of the QD density. The blue shift observed at 370 - 430 <$E symbol Р>C is ascribed to diffusion of cadmium from QDs that also results in reduction of the QD density. It is found that the energy of excitonic transitions in the wetting layer does not change upon annealing. Lower thermal stability of QDs as compared to that of the wetting layer has been explained by strain-enhanced lateral Cd/Zn interdiffusion via vacancies. The presence of column II vacancies in the wetting layer is proved by characteristics of defect-related PL band and its excitation spectra. | ||
| 2. | 
Korsunska N. O. Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO [Електронний ресурс] / N. O. Korsunska, I. V. Markevich, T. R. Stara, L. V. Borkovska, S. Lavoryk, L. Yu. Melnichuk, O. V. Melnichuk // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 7. - С. 660-664. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_7_12 | ||
| 3. | 
Nesterenko Y. O. Electrolytic aggregation in solutions with quantum dots and gold nanoparticles modified with oligonucleotides [Електронний ресурс] / Y. O. Nesterenko, O. E. Rachkov, K. O. Kozoriz, L. V. Borkovska // Biotechnologia Acta. - 2022. - Vol. 15, № 4. - С. 22-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/biot_2022_15_4_8 Aim - to investigate electrolytic aggregation of different nano-objects in solutions with quantum dots (QDs) and Au nanoparticles (NPs) modified by oligonucleotides as well as the effect of aggregates on the photoluminescence (PL) of QDs. Au NPs and AgInS | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |